ROHM推出600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

同時實現(xiàn)業(yè)內出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的

600V耐壓Super JunctionMOSFET“R60xxRNx系列”

有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數(shù)量,并降低功率損耗

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS”產(chǎn)品陣容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品,非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動。

近年來,全球電力供應日趨緊張,這就要求設備要更加節(jié)能。據(jù)了解,電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此,在電機驅動中擔負功率轉換工作的逆變電路,越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面,針對使用MOSFET時所產(chǎn)生的噪聲,主要通過添加部件和改變電路圖案等措施來處理,而這些措施需要花費相應的工時和成本,如何減少工時和成本已成為必須要攻克的課題。然而,通常情況下,由于降低功率損耗和降低噪聲之間存在此消彼長的權衡關系,因此如何同時滿足這兩個參數(shù)的要求,也是必須要解決的課題。

在這種背景下,ROHM于2012年實現(xiàn)了具有業(yè)內超快反向恢復特性的Super Junction MOSFET PrestoMOS的量產(chǎn),并且,由于該系列產(chǎn)品可大大降低設備的功耗而受到市場的高度好評。在此基礎上,此次ROHM又推出“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品,新產(chǎn)品通過優(yōu)化結構而同時實現(xiàn)了業(yè)內出色的低噪聲特性和業(yè)內超快的反向恢復時間。

新產(chǎn)品不僅繼承了PrestoMOS的特點——超快反向恢復時間(trr*2)特性,同時還進一步降低了噪聲。通過改進自有的Lifetime控制*3技術實現(xiàn)了40ns業(yè)內超快反向恢復時間,與普通產(chǎn)品相比,其開關損耗降低約30%,有助于進一步降低設備的功率損耗。另外,通過采用新開發(fā)的自有Super Junction結構,與普通產(chǎn)品相比,與反向恢復時間之間存在權衡關系的噪聲也降低了約15dB(在ROHM測試條件下,比較40MHz時的表現(xiàn))。新產(chǎn)品實現(xiàn)了業(yè)內優(yōu)異的特性,有助于減少設備的抗噪聲設計工時和部件數(shù)量。

新產(chǎn)品已于2022年12月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格500日元/個,不含稅)。另外,新產(chǎn)品已于2023年3月開始網(wǎng)售,通過Ameya360,Sekorm等電商平臺均可購買。

今后,ROHM將繼續(xù)開發(fā)不同封裝和低導通電阻產(chǎn)品,不斷擴大高耐壓MOSFET的產(chǎn)品陣容,通過助力各種設備降低功耗,來為解決環(huán)境保護等社會課題做出貢獻。

<了解PrestoMOS>

Presto意為“非?？臁?是源于意大利語的音樂術語。

PrestoMOS是ROHM自有的功率MOSFET品牌,該品牌的MOSFET產(chǎn)品不僅保持了Super Junction MOSFET高耐壓和低導通電阻的特點,還縮短了內置二極管的反向恢復時間。因其可降低開關損耗而越來越多地被用于空調和冰箱等配備逆變電路的應用。

*PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

<產(chǎn)品陣容>

<應用示例>

◇冰箱

◇換氣扇

◇風扇電機

還適用于配備小型電機的各種設備。

<電商銷售信息>

開始銷售時間:2023年3月起

網(wǎng)售平臺:Ameya360,Sekorm

在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

<術語解說>

*1)Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

MOSFET是晶體管的一種,根據(jù)器件結構上的不同又可細分為DMOSFET、平面MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類的產(chǎn)品。與DMOSFET和平面MOSFET相比,Super Junction MOSFET在耐壓和輸出電流方面表現(xiàn)更出色,在處理大功率時損耗更小。

*2) trr:反向恢復時間(Reverse Recovery Time)

內置的二極管從導通狀態(tài)到完全關斷狀態(tài)所需的時間。該值越低,開關時的損耗越小。

*3) Lifetime控制

施加電壓時移動的載流子(空穴或電子),從停止施加電壓時到重新結合所需的時間稱為“Lifetime”,通過在半導體晶體結構中故意制造缺陷來使其更容易重新結合的技術稱為“Lifetime控制”技術。